QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：宁波材料技术与工程研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Visible-Light-Enabled C-H Functionalization by a Direct Hydrogen Atom Transfer Uranyl Photocatalyst 期刊论文 CHEMISTRY-A EUROPEAN JOURNAL, 2020 作者:  Yu, Jipan;  Zhao, Chongyang;  Zhou, Rong;  Gao, Wenchao;  Wang, Shuai 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/12/16 PARA-QUINONE METHIDES  PHOTOREDOX CATALYSIS  1,6-CONJUGATE ADDITION  C(SP(3))-H BONDS  DIRECT ARYLATION  ACTIVATION  ALKYLATION  ACCESS  HYDROALKYLATION  AROMATIZATION   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Study on High-Density Integration Resistive Random Access Memory Array From Multiphysics Perspective by Parallel Computing 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 1747-1753 作者:  Zhu, Guodong;  Chen, Wenchao;  Wang, Dawei;  Xie, Hao;  Zhao, Zhenguo 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/18 DEVICE  SIMULATION   Tribological performances of epoxy resin composite coatings using hexagonal boron nitride and cubic boron nitride nanoparticles as additives 期刊论文 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 732 作者:  Zhao, Wenchao;  Zhao, Wenjie;  Huang, Zhiping;  Liu, Gang;  Wu, Bin 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/18 CONDUCTIVE COMPOSITE  CARBON NANOTUBES  H-BN  GRAPHENE  WEAR  NANOCOMPOSITES  FABRICATION  RESISTANCE  FRICTION  BEHAVIOR   20% Efficient Perovskite Solar Cells with 2D Electron Transporting Layer 期刊论文 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2019, 卷号: 29, 期号: 4 作者:  Zhao, Xiaojuan;  Liu, Shuangshuang;  Zhang, Haitao;  Chang, Sheng-Yung;  Huang, Wenchao 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/18 LOW-TEMPERATURE  GRAPHENE OXIDE  HOLE-TRANSPORT  NANOSHEETS  RECOMBINATION  PERFORMANCE  STABILITY   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL   Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者:  Wang, Da-Wei;  Chen, Wenchao;  Zhao, Wen-Sheng;  Zhu, Guo-Dong;  Kang, Kai 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY  RESISTIVE MEMORY  INTEGRATION  BEHAVIOR  DIAMOND  ZN4SB3  MODEL