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A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE 外文期刊
2010
作者:  Luo, WJ;  Liu, XY;  Zheng, YK;  Liu, GG;  Zhang, H
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26
Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface 外文期刊
2010
作者:  Liu, XY;  Bai, Y;  Liu, J;  Ma, P;  Li, B
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26
Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure 外文期刊
2010
作者:  Jin, Z;  Liu, XY;  Wu, Dx;  Zhou, L;  Chang, HD
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26
Fabrication and characterization of molecular scale field-effect transistors 外文期刊
2010
作者:  Yu, G;  Cao, LC;  Chen, SY;  Wei, DC;  Liu, HM
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26
Effects of Shell Strain on Valence Band Structure and Transport Properties of Ge/Si1-xGex Core-Shell Nanowire 外文期刊
2010
作者:  Zhao, YN;  Xu, HH;  Du, G;  Liu, XY;  Fan, C
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26
Photon higher-order squeezing effects of the q analogue of a single-mode field interacting with a Xi-type three-level atom 外文期刊
2009
作者:  Liu, XY;  Zhang, HH;  Shen, HJ;  Zhou, JT
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26
On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT 外文期刊
2009
作者:  Jin, Z;  Liu, XY
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26
HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz 外文期刊
2009
作者:  Cheng, W;  Jin, Z;  Qi, M;  Xu, AH;  Liu, XY
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/26
Design and fabrication of a compact multimode interference splitter with silicon photonic nanowires 外文期刊
2009
作者:  Zhang, HH;  Liu, XY;  Zhou, JT;  Shen, HJ
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26
Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2) 外文期刊
2009
作者:  Li, WL;  Jia, R;  Chen, C;  Wu, NJ;  Tamotsu, H
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26

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