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半导体研究所 [20]
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半导体材料 [20]
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学科主题:半导体材料
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Growth of 4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4 degrees off-axis substrates
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Yu, Jun
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2013/09/17
Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces
期刊论文
physica status solidi (a), 2013, 卷号: 210, 期号: 11, 页码: 2503–2509
Lin Dong, Guosheng Sun, Liu Zheng, Xingfang Liu, Feng Zhang, Guoguo Yan, Lixin Tian, Xiguang Li, Zhanguo Wang
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/03/17
Growth of f4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4° off-axis substrates
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Yu, Jun
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/03/17
Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates
期刊论文
journal of physics d: applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 24, 页码: 245102
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Zhao, Wanshun
;
Wang, Lei
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/04/22
Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25
作者:
Liu Xingfang
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/11/23
Laterally Electrostatically Driven Poly 3C-SiC Folded-Beam Resonant Microstructures
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1453-1456
作者:
Wang Liang
;
Ning Jin
;
Zhao Yongmei
;
Liu Xingfang
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1254-1257
作者:
Liu Xingfang
;
Ning Jin
;
Zhao Yongmei
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Improved field emission properties from metal-coated diamond films
期刊论文
diamond and related materials, 2007, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 650-653
Zhao YM (Zhao Yongmei)
;
Zhang BL (Zhang Binglin)
;
Yao N (Yao Ning)
;
Sun GS (Sun Guosheng)
;
Li JM (Li Jinmin)
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/03/29
MWPCVD diamond films
Uniformity Investigation in 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si Substrates by Horizontal Hot-Wall CVD
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-4
作者:
Liu Xingfang
;
Zhao Yongmei
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials (icscrm 2005), pittsburgh, pa, sep 18-23, 2005
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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浏览/下载:100/29
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提交时间:2010/03/29
homoepitaxial growth
low-pressure hot-wall CVD
structural and optical characteristics
intentional doping
Schottky barrier diodes
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