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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Improvement of Endurance Degradation for Oxide Based Resistive Switching Memory Devices Correlated With Oxygen Vacancy Accumulation Effect 其他 2012-01-01 Lu, Y.; Chen, B.; Gao, B.; Fang, Z.; Fu, Y. H.; Yang, J. Q.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Yu, H. Y.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/13 hafnium oxide  nonvolatile memory  endurance  conductive filament  oxygen vacancy  RRAM   High performance unipolar AlOy/HfOx/Ni based RRAM compatible with Si diodes for 3D application 其他 2011-01-01 Tran, X.A.; Gao, B.; Kang, J.F.; Wu, L.; Wang, Z.R.; Fang, Z.; Pey, K.L.; Yeo, Y.C.; Du, A.Y.; Nguyen, B.Y.; Li, M.F.; Yu, H.Y. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 Bias temperature instability of binary oxide based reram 其他 2010-01-01 Fang, Z.; Yu, H.Y.; Liu, W.J.; Pey, K.L.; Li, X.; Wu, L.; Wang, Z.R.; Lo, Patrick G.Q.; Gao, B.; Kang, J.F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13