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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structure and thermal stability of (Zr0.6Al0.4)O-1.8 thin film on strained SiGe layer 期刊论文 JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2005, 卷号: 351, 期号: 1, 页码: 93-96 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; An, ZH; Zhang, ZX; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRICAL-PROPERTIES  OXIDES   Investigation of SiGe-on-insulator novel structure 期刊论文 JOURNAL OF RARE EARTHS, 2004, 卷号: 22, 页码: 13-16 Lin, CL; Liu, WL; An, ZH; Di, ZF; Zhang, M 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 STRAINED-SI  SUBSTRATE  SILICON  MOSFETS   Relaxed silicon-germanium-on-insulator substrates by oxygen implantation into pseudomorphic silicon germanium/silicon heterostructure 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 82, 期号: 15, 页码: 2452-2454 An, ZH; Wu, YJ; Zhang, M; Di, ZF; Lin, CL; Fu, RKY; Chen, P; Chu, PK; Cheung, WY; Wong, SP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  ELECTRON  MOSFETS  LAYER