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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Polarization-Driven Topological Insulator Transition in a GaN/InN/GaN Quantum Well 期刊论文 physical review letters, 2012, 卷号: 109, 期号: 18, 页码: 186803 Miao MS (Miao, M. S.); Yan Q (Yan, Q.); Van de Walle CG (Van de Walle, C. G.); Lou WK (Lou, W. K.); Li LL (Li, L. L.); Chang K (Chang, K.) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/26 Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：61/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  QUANTUM WIRES  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  FIELD  GAMNN   A new method to reduce the dark current of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2548-2553 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：31/2  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite III-V nitride quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216 Wan SP; Xia JB; Chang K 收藏  |  浏览/下载：123/9  |  提交时间：2010/08/12 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  RECOMBINATION DYNAMICS  WIDTH DEPENDENCE  GAN  EXCITONS  ABSORPTION  SPECTRA  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  CONSTANTS