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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 升华法生长AlN体单晶初探 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 1241-1245 作者:  魏学成 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23 磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 2127-2133 赵有文; 董志远; 孙文荣; 段满龙; 杨子祥; 吕旭如 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 化学气相传输法生长ZnO单晶 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 336-339 作者:  魏学成 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 高质量InAs单晶材料的制备及其性质 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1391-1395 赵有文; 孙文荣; 段满龙; 董志远; 杨子祥; 吕旭如; 王应利 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/23 半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 524-529 赵有文; 董志远; 李成基; 段满龙; 孙文荣 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究 期刊论文 人工晶体学报, 2006, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 404-408 作者:  魏学成 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷 期刊论文 中国科学. E辑， 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 5 董志远; 赵有文; 曾一平; 段满龙; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23