半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

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	半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制
	赵有文 ; 董志远 ; 李成基 ; 段满龙 ; 孙文荣
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:3 页码:524-529
中文摘要	综合深能级缺陷和电学性质的测试结果，证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关．通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系，给出了抑制缺陷产生，提高材料质量的途径．对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论。
英文摘要	综合深能级缺陷和电学性质的测试结果，证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关．通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系，给出了抑制缺陷产生，提高材料质量的途径．对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:11导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4295.pdf: 321352 bytes, checksum: deee9dd228547f92f317d644b6ad7a8d (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16677]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵有文,董志远,李成基,等. 半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制[J]. 半导体学报,2006,27(3):524-529.
APA	赵有文,董志远,李成基,段满龙,&孙文荣.(2006).半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制.半导体学报,27(3),524-529.
MLA	赵有文,et al."半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制".半导体学报 27.3(2006):524-529.