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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Method of removing a substrate with a cleaving technique 专利 专利号: WO2019055936A1, 申请日期: 2019-03-21, 公开日期: 2019-03-21 作者:  KAMIKAWA, TAKESHI;  GANDROTHULA, SRINIVAS;  LI, HONGJIAN 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2014/10/31 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/10/31 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2014/10/29 氮化物LED外延结构的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/10/31 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 作者:  李志聪 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/09/09 Method of fabricating non-polar and semi-polar devices using epitaxial lateral overgrowth 专利 专利号: WO2019191760A1, 公开日期: 2019-10-03 作者:  KAMIKAWA, TAKESHI;  GANDROTHULA, SRINIVAS;  LI, HONGJIAN 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26