一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法

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	李志聪
专利国别	中国
专利号	CN102214740A
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法,包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明,可以调制外延层中因为晶格失配带来的应力,同时使GaN外延层中的位错转向、合并,从而降低后续生长的外延层中穿透位错的密度,改善材料质量,提高发光二极管的抗静电能力。
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
语种	中文
专利申请号	CN201110136242.X
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23511]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	李志聪. 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法, 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法, 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法, 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法. CN102214740A.