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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    学科主题：physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical properties of Si1-x-yGexCy films grown by ion implantation and solid phase epitaxy 会议论文 Symposium on Silicon-based Heterostructure Materials held at the 8th IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2002), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002 作者:  Liu, XQ;  Zhen, CM;  Wang, YY;  Zhang, J;  Pu, YJ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/07/31 Preparation of Si1-x-yGexCy semiconductor films on Si by ion implantation and solid phase epitaxy 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA/物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 10, 页码: 2340-2343 作者:  Lu, XQ;  Wang, YY;  Zhen, CM;  Zhang, J;  Yang, YH 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/05/25 Si1-x-yGexCy films  ion implantation  solid phase epitaxy