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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2017    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes 期刊论文 Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850 作者:  J. Yang;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  P. Chen;  J. J. Zhu 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/30 Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602 作者:  J. YANG;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  X. LI;  F. LIANG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/30 Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466 作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11 Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文 AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103 作者:  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/07/11