|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du
  收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2017/03/10 |
| The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2017/03/10 |
| Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/03/10 |
| The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content 期刊论文
physica status solidi (a), 2016, 卷号: 213, 期号: 8, 页码: 2223–2228
X. Li; D. G. Zhao*; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; F. Liang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; H. Yang
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/03/10 |
| Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文
materials technology, 2016
F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; Y. T. Zhang; G. T. Du
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2017/03/10 |
