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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 625, 页码: 5 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/12/31 Nitride materials  Crystal growth  Photoluminescence  Multiple quantum wells  Localization states  Green light   Conductivity enhancement in AlGaN:Mg by suppressing the incorporation of carbon impurity 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 4 作者:  Tian, AQ(田爱琴);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/12/31 Temperature dependence of photoluminescence spectra for green light emission from InGaN/GaN multiple wells 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 9 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/12/31 Identification of degradation mechanisms of blue InGaN/GaN laser diodes 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48, 期号: 41, 页码: 4 作者:  Wen, PY(温鹏雁);  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群) 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaN/GaN laser diode  degradation mechanism  optical characteristic   Injection current dependences of electroluminescence transition energy in InGaN/GaN multiple quantum wells light emitting diodes under pulsed current conditions 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 118, 期号: 3, 页码: 9 作者:  Zhang, F(张峰);  Ikeda, M;  Zhou, K(周堃);  Liu, ZS;  Liu, JP(刘建平) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31 High accuracy thermal resistance measurement in GaN/InGaN laser diodes 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2015, 卷号: 106, 页码: 4 作者:  Wen, PY(温鹏雁);  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/12/31 Thermal resistance  Measurement  GaN/InGaN laser diodes   Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/12/31 ohmic contact  p-type GaN  transportation mechanism  deep-level-defect band   Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Le, LC;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/12/31 Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 6 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31