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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68 作者:  S.T. Liu;  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  F. Liang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/07/11 Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文 AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103 作者:  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/07/11