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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low atomic number silicon nitride films for transmission electron microscopy 期刊论文 Materials Science in Semiconductor Processing, 2018 作者:  Li JF(李俊峰);  Liu RW(刘瑞文);  Shang HP(尚海平);  Chen DP(陈大鹏);  Wang WB(王玮冰) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/20 FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文 作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/19 Study of Hetero-Tunneling gFET with an Ultra-shallow Pocket Junction 会议论文 作者:  Wang DH(王大海);  Xu GB(许高博);  Xu QX(徐秋霞);  Yin HX(殷华湘);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/05/07 Study of Si Green Transistor with an Ultra-shallow Pocket Junction 会议论文 作者:  Li CL(李春龙);  Li JJ(李俊杰);  Xu GB(许高博);  Xu QX(徐秋霞);  Yin HX(殷华湘) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/05/07 FinFet器件源漏区的形成方法 专利 申请日期: 2013-09-25, 作者:  王垚;  刘金彪;  徐强;  熊文娟;  李春龙 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2018/04/10