×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
湖南大学 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2019 [6]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
专题:湖南大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Van der Waals epitaxial growth of vertically stacked SbTe/MoS p–n heterojunctions for high performance optoelectronics
期刊论文
Nano Energy, 2019, 卷号: Vol.59, 页码: 66-74
作者:
Huawei Liu
;
Dong Li
;
Chao Ma
;
Xuehong Zhang
;
Xingxia Sun
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2019/12/13
P–n
heterojunction
Van
der
Waals
epitaxial
Charge
transfer
Photovoltaic
Photodetector
Direct van der Waals epitaxial growth of 1D/2D SbSe/WS mixed-dimensional p-n heterojunctions
期刊论文
Nano Research, 2019, 卷号: Vol.12 No.5, 页码: 1139-1145
作者:
Sun, GZ
;
Li, B
;
Li, J
;
Zhang, ZW
;
Ma, HF
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2019/12/17
van der Waals epitaxy
Sb2Se3/WS2 heterostructures
rectification behavior
photovoltaic effect
photoswitch
Direct van der Waals epitaxial growth of 1D/2D Sb2Se3/WS2 mixed-dimensional p-n heterojunctions
期刊论文
纳米研究(英文版), 2019, 卷号: 第12卷 第5期, 页码: 1139-1145
作者:
Guangzhuang Sun
;
Bo Li
;
Jia Li
;
Zhengwei Zhang
;
Huifang Ma
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/12/13
van
der
Waals
epitaxy
Sb2Se3/WS2
heterostructures
rectification
behavior
photovoltaic
effect
photoswitch
Van der Waals epitaxial growth of vertically stacked Sb2Te3 /MoS2 p-n heterojunctions for high performance optoelectronics
期刊论文
NANO ENERGY, 2019, 卷号: Vol.59, 页码: 66-74
作者:
Liu, HW
;
Li, D
;
Ma, C
;
Zhang, XH
;
Sun, XX
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/12/17
Recent Advances in Low‐Dimensional Heterojunction‐Based Tunnel Field Effect Transistors
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: Vol.5 No.1
作者:
Yawei Lv
;
Wenjing Qin
;
Chunlan Wang
;
Lei Liao
;
Xingqiang Liu
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/13
field‐effect
transistors
heterojunctions
low‐dimensional
materials
tunnel
van
der
Waals
Recent Advances in Low-Dimensional Heterojunction-Based Tunnel Field Effect Transistors
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: Vol.5 No.1
作者:
Lv, YW
;
Qin, WJ
;
Wang, CL
;
Liao, L
;
Liu, XQ
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/17
field-effect transistors
heterojunctions
low-dimensional materials
tunnel
van der Waals
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace