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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2 作者:  Shi, YJ;  Huang, S;  Bao, QL;  Wang, XH;  Wei, K 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11 High Temperature Characteristics of GaN-Based Inverter Integrated With Enhancement-Mode (E-Mode) MOSFET and Depletion-Mode (D-Mode) HEMT 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 33-35 作者:  Cai, Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2014/12/01 GaN  DCFL  inverter  small variations   Demonstration of Normally-Off Recess-Gated AlGaN/GaN MOSFET Using GaN Cap Layer as Recess Mask 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1197-1199 作者:  Cai, Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/02/03 Self-terminating  normally-off  AlGaN/GaN MOSFET  GaN cap layer  gate recess  recess mask   Threshold voltage dependence on channel width in nano-channel array AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 Phys. Status Solidi C, 2012, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 879–882 作者:  Baoshun Zhang（张宝顺）;  Yong Cai（蔡勇）;  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Chunhong Zeng（曾春红） 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/01/16 AlGaN/GaN HEMT  nano-channel array  E-mode  threshold voltage