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Heat-radiating light source 专利
专利号: EP3425754A4, 申请日期: 2019-03-20, 公开日期: 2019-03-20
作者:  NODA, SUSUMU;  INOUE, TAKUYA;  JI, ANQI;  ASANO, TAKASHI
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多波長半導体レーザダイオード 专利
专利号: JP2819160B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30
作者:  宮澤 丈夫;  永沼 充
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2748570B2, 申请日期: 1998-02-20, 公开日期: 1998-05-06
作者:  石川 信
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2716717B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者:  船水 将久;  江口 和弘
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半導体レーザ 专利
专利号: JP1994009281B2, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02
作者:  勝井 明憲
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半導体レーザ 专利
专利号: JP1994009279B2, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02
作者:  勝井 明憲
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Semiconductor laser apparatus and method of producing the same 专利
专利号: JP1992137779A, 申请日期: 1992-05-12, 公开日期: 1992-05-12
作者:  ISHINO MASATO;  FUJIWARA KIYOSHI;  MATSUI YASUSHI
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1992049690A, 申请日期: 1992-02-19, 公开日期: 1992-02-19
作者:  TOMITA AKIHISA
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- 专利
专利号: JP1991078792B2, 申请日期: 1991-12-16, 公开日期: 1991-12-16
作者:  SUZUKI TOORU
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Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1991097230A, 申请日期: 1991-04-23, 公开日期: 1991-04-23
作者:  MOCHIZUKI KAZUHIRO;  KUSANO CHUSHIRO;  MASUDA HIROSHI;  MITANI KATSUHIKO;  TAKAHASHI SUSUMU
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