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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ce:YAG/Al2O3 COMPOSITES FOR LASER-EXCITED SOLID-STATE WHITE LIGHTING 专利 专利号: US20190264100A1, 申请日期: 2019-08-29, 公开日期: 2019-08-29 作者:  COZZAN, CLAYTON J.;  DENBAARS, STEVEN P.;  SESHADRI, RAM 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/12/31 Method of etching for multi-layered structure of semiconductors in groups III-V and method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser device 专利 专利号: US20070134926A1, 申请日期: 2007-06-14, 公开日期: 2007-06-14 作者:  KWON, O. KYUN;  PARK, MI RAN;  HAN, WON SEOK;  SONG, HYUN WOO 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 A method to GAAS based lasers and a based laser 专利 专利号: AU2002324397A1, 申请日期: 2003-06-19, 公开日期: 2003-06-19 作者:  BLIXT, PETER, N.;  CARLSTROM, CARL-FREDRIK;  KRUMMENACHER, LAURENT;  LINDSTROM, KARSTEN, V., L.;  SILFVENIUS, CHRISTOFER 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Method for etching iii-v semiconductor material 专利 专利号: WO1998054757A1, 申请日期: 1998-12-03, 公开日期: 1998-12-03 作者:  FRANZ, GERHARD 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Method of manufacturing an opto-electronic semiconductor device, whereby a semiconductor body having a top layer of GaAs and a subjacent layer comprising InP is etched in a plasma generated in SiCl4, and Ar 专利 专利号: EP0547694B1, 申请日期: 1996-03-13, 公开日期: 1996-03-13 作者:  CHANG, CHANG VOEI JOENG MARIJKE;  RIJPERS, JOHANNES CORNELIS NORBERTUS 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26