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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Nonvolatile MoTe p–n Diodes for Optoelectronic Logics 期刊论文 ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.6, 页码: 7216-7222 作者:  Chenguang Zhu;  Xingxia Sun;  Huawei Liu;  Biyuan Zheng;  Xingwang Wang 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/13 MoTe2  van der Waals heterostructure  p−n diode  nonvolatile memory  logic optoelectronic device   Nonvolatile MoTe2 p-n Diodes for Optoelectronic Logics 期刊论文 ACS NANO, 2019, 卷号: Vol.13 No.6, 页码: 7216-7222 作者:  Zhu, CG;  Sun, XX;  Liu, HW;  Zheng, BY;  Wang, XW 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/17 MoTe2  van der Waals heterostructure  p-n diode  nonvolatile memory  logic optoelectronic device   Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOₓ Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 页码: 1-6 作者:  Yi Li;  Yaxiong Guo;  Kai Zhang;  Xuming Zou;  Jingli Wang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Logic gates  HEMTs  MODFETs  Aluminum gallium nitride  Wide band gap semiconductors  Threshold voltage  AlGaN/GaN  CuO gate  NiOₓ  gate  p-type metal oxide  threshold voltage.   Flexible Dual-Gate Oxide TFTs Gated by Chitosan Film on Paper Substrates 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2013, 卷号: No.2, 页码: 259-261 作者:  Dou, Wei;  Zhu, Liqiang;  Jiang, Jie;  Wan, Qing 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 Capacitance  Indium tin oxide  Logic gates  Substrates  Thin film transistors  Threshold voltage  Chitosan  dual-gate thin-film transistors (TFTs)  paper electronics  threshold voltage modulation   Transparent Junctionless Thin-Film Transistors With Tunable Operation Mode 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2013, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 265-267 作者:  Zhang, Gengming;  Wan, Qing;  Sun, Jia;  Wu, Guodong;  Zhu, Liqiang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 Electrodes  Glass  Logic gates  Plasma temperature  Substrates  Thin film transistors  Indium-zinc-oxide (IZO)  junctionless transparent transistors  operation mode modulation