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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence investigation of two-dimensional electron gas in an undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2096-2099 Han, XX; Wu, JJ; Li, JM; Cong, GW; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：44/17  |  提交时间：2010/03/17 DISLOCATION SCATTERING   Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103 Xu HZ; Bell A; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy  photoluminescence  yellow luminescence  N-TYPE GAN  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  THIN-FILMS  DOPED GAN  DEEP LEVELS  ORIGIN  PHOTOLUMINESCENCE  DEPENDENCE  VACANCIES  EPITAXY   OXYGEN IN INXGA1-XASYP1-Y GROWN ON GAAS 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 1992, 卷号: 172, 期号: 2, 页码: 647-653 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 100 GAAS  SEMICONDUCTORS  INGAP