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科研机构
半导体研究所 [12]
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期刊论文 [9]
会议论文 [3]
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2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2004 [1]
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学科主题
半导体物理 [12]
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学科主题:半导体物理
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Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108
Zhu YH (Zhu Yuan-Hui)
;
Xu Q (Xu Qiang)
;
Fan WJ (Fan Wei-Jun)
;
Wang JW (Wang Jian-Wei)
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浏览/下载:67/3
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提交时间:2010/05/07
ALLOYS
GE
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802
Ruan J
;
Yu TJ
;
Jia CY
;
Tao RC
;
Wang ZG
;
Zhang GY
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浏览/下载:87/2
  |  
提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
OPTICAL GAIN
EMISSION
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SPECTRA
ORIGIN
ENERGY
Electronic structure and optical gain of wurtzite ZnO nanowires
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 18, 页码: art. no. 181101
Zhang, XW
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
QUANTUM-WELLS
NANOBELTS
GROWTH
ARRAYS
LASERS
WIRES
FIELD
1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
Wang XL
;
Cheng TS
;
Ma ZY
;
Hu G
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Luo WJ
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2010/03/29
AlGaN/GaN
Photon localization and lasing in disordered GaNxAs1-x optical superlattices
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 19, 页码: art.no.195112
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
RANDOM LASER
SCATTERING
MEDIA
LIGHT
ABSORPTION
CAVITIES
GAIN
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Theoretical analysis of characteristics of GaxIn1-xNyAs1-y/GaAs quantum well lasers with different intermediate layers
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 1261-1263
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
GAINNAS
LUMINESCENCE
DIODES
ALLOYS
Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553
Munoz M
;
Huang YS
;
Pollak FH
;
Yang H
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HEXAGONAL GAN
TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
TRANSITIONS
GROWTH
GAIN
ALN
ELLIPSOMETRY
WURTZITE
Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of Ga1-xInxNyAs1-y-GaAs quantum well lasers
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2003, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 1336-1338
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:395/1
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提交时间:2010/08/12
band structure
differential gain
GaInNAs
optical gain
strain compensated
strain mediated
STRAIN
TEMPERATURE
DIODES
ALLOYS
OFFSET
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Zhang Y
;
Zhang Y
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/10/29
LASERS
GAIN
GAAS
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