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半导体研究所 [14]
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期刊论文 [12]
会议论文 [2]
发表日期
2016 [1]
2011 [2]
2008 [1]
2006 [3]
2005 [1]
2004 [1]
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学科主题
半导体物理 [14]
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学科主题:半导体物理
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Enhancing light emission efficiency without color change in post-transition metal chalcogenides
期刊论文
nanoscale., 2016, 卷号: 8, 期号: 11, 页码: 5820-5825
Cong Wang
;
Shengxue Yang
;
Hui Cai
;
Can Ataca
;
Hui Chen
;
Xinzheng Zhang
;
Jingjun Xu
;
Bin Chen
;
Kedi Wu
;
Haoran Zhang
;
Luqi Liu
;
Jingbo Li
;
Jeffrey C. Grossman
;
Sefaattin Tongay
;
Qian Liu
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/10
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
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浏览/下载:52/5
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提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
Quantum-dot-induced optical transition enhancement in InAs quantum-dot-embedded p-i-n GaAs solar cells
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 113514
Shang XJ
;
He JF
;
Li MF
;
Zhan F
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Pettersson H
;
Fu Y
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
WELL INFRARED PHOTODETECTOR
PHOTOCURRENT
EFFICIENCY
Effects of coupling lens on optical refrigeration of semiconductors
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1878-1880
Ding, K
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
THULIUM-DOPED GLASS
UP-CONVERSION
LASER
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
3rd international conference on materials for advanced technologies/9th international conference on advanced materials, singapore, singapore, jul 03-08, 2005
Jiang, DS
;
Qu, YH
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:110/24
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提交时间:2010/03/29
molecular beam epitaxy
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:81/0
  |  
提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (InyGa1-yAs/GaAs1-x Sb-x)/ GaAs bilayer quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:109/23
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提交时间:2010/03/17
bilayer quantum well
Full-color emission from In2S3 and ln(2)S(3): Eu3+ nanoparticles
期刊论文
journal of physical chemistry b, 2004, 卷号: 108, 期号: 32, 页码: 11927-11934
Chen W
;
Bovin JO
;
Joly AG
;
Wang SP
;
Su FH
;
Li GH
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浏览/下载:143/41
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提交时间:2010/03/09
CUINS2 THIN-FILMS
Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297
作者:
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled
MBE
quantum dots
photoluminescence
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
LASERS
INP
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