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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays 期刊论文 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935 Liu, JQ; Huang, J; Gong, XJ; Wang, JF; Xu, K; Qiu, YX; Cai, DM; Zhou, TF; Ren, GQ; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  WELL NANOROD ARRAYS  ULTRAVIOLET-LIGHT  GROWTH  NANOGENERATORS  DISLOCATIONS  BRIGHTNESS  LAYERS   Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EDGE DISLOCATIONS  GAN  FILMS  SUPERLATTICES  RELAXATION  STRAIN   Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105 Wang JF (Wang J. F.); Yao DZ (Yao D. Z.); Chen J (Chen J.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRESS EVOLUTION  DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  THIN-FILMS  ALGAN  DISLOCATIONS  RELAXATION  REDUCTION   Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 9, 页码: art.no.092114 Wang H (Wang H.); Huang Y (Huang Y.); Sun Q (Sun Q.); Chen J (Chen J.); Wang LL (Wang L. L.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Zhang SM (Zhang S. M.); Jiang DS (Jiang D. S.); Wang YT (Wang Y. T.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  ELECTRON-TRANSPORT  EPITAXIAL GAN  BAND-GAP  DISLOCATIONS  SAPPHIRE  ALN   Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Shi SL (Shi S. L.); Beling CD (Beling C. D.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 DISLOCATIONS  DEGRADATION   The improvement characteristics of homoepitaxial GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193 Wang HL; Zhu HJ; Ning D; Wang H; Wang XD; Guo ZS; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy  deep level transient spectroscopy  deep level defects  DISLOCATION DENSITY  IRRADIATION   New method for the growth of highly uniform quantum dots 期刊论文 microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 79-83 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY