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半导体研究所 [35]
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期刊论文 [30]
会议论文 [5]
发表日期
2011 [2]
2010 [2]
2009 [2]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [2]
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学科主题
半导体材料 [35]
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学科主题:半导体材料
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Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Preparation and Optical Performance of Freestanding GaN Thick Films
期刊论文
rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Wei TB
;
Yang JK
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:58/10
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提交时间:2011/07/05
GaN
HVPE
freestanding thick films
stress release
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
PRESSURE
HVPE
Evaluating the effect of dislocation on the photovoltaic performance of metamorphic tandem solar cells
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 9, 页码: 2569-2574
Zhang H (Zhang Han)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
;
Wang YS (Wang YanSuo)
;
Huang TM (Huang TianMao)
;
Bai YM (Bai YiMing)
;
Fu Z (Fu Zhen)
收藏
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浏览/下载:250/25
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提交时间:2010/09/07
tandem solar cell
theoretical efficiency
dislocation
buffer layers
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513
Zhou ZW
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
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浏览/下载:53/12
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提交时间:2010/03/08
characterization
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
Photoluminescence investigation of InAs bimodal self-assembled quantum dots state filling
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2007, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 2178-2181
Jia, GZ
;
Yao, JH
;
Zhang, CL
;
Shu, Q
;
Liu, RB
;
Ye, XL
;
Wang, ZG
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浏览/下载:60/2
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提交时间:2010/03/08
photoluminescence spectroscopy
quantum dot
bimodal distribution
state-filling
Comparison of space- and ground-grown Ce: Bi12SiO20 single crystals
期刊论文
microgravity science and technology, 2006, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 40244
Zhou YF
;
Pan ZL
;
Liu Y
;
Ai F
;
Chen NF
;
Huang YY
;
He W
;
Tang LA
;
Wang JC
收藏
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浏览/下载:269/40
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提交时间:2010/04/11
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