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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文 作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/13 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/28 Total ionizing dose and single event effects of 1 Mb HfO2-based resistive random access memory 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Yuan Duan;  Xi K(习凯);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/12 Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge 期刊论文 CHIN. PHYS. LETT., 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Xu YN(徐彦楠);  Li B(李博);  Xi K(习凯);  Wang HB(王海滨) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/12 Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor 期刊论文 SCIENCE CHINA, 2017 作者:  Xu YN(徐彦楠);  Xu GB(许高博);  Xi K(习凯);  Li B(李博);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/13