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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   Effects of growth temperature on highly mismatched InAs grown on GaAs substrates by MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 38-42 Wang HM; Fan TW; Wu J; Zeng YP; Dong JR; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CRITICAL LAYER THICKNESS  THREADING DISLOCATIONS  OVAL DEFECTS  HETEROSTRUCTURES  INXGA1-XAS  ENERGY  SI   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  HYDROGEN DESORPTION  SI(100)  SI  SURFACTANT  GERMANIUM  MECHANISM  KINETICS  ALLOYS  SI2H6  GAS-SOURCE MBE