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The Influence of Anode Trench Geometries on Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes 期刊论文
ELECTRONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 282
作者:  Xiuxia Yang;  Zhe Cheng;  Zhiguo Yu;  Lifang Jia;  Lian Zhang;  Yun Zhang
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/11/26
High-performance 5.1 nm in-plane Janus WSeTe Schottky barrier field effect transistors 期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 42, 页码: 21750-21756
作者:  Zhi-Qiang Fan;   Zhen-Hua Zhang;   Shen-Yuan Yang
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2021/05/24
Impact of graphene interlayer on performance parameters of sandwich structure Pt/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 40, 页码: 404003
作者:  J X Ran;   B Y Liu;   X L Ji;   A Fariza;   Z T Liu;   J X Wang;   P Gao;   T B Wei
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/05/24
Schottky-barrier modulation at germanium/monolayer MoS2 heterojunction interface: the roles of passivation and interfacial layer 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2020, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 021004
作者:  Xiaolei Ma;   Xiangwei Jiang;  Yuan Li;   Jiezhi Chen
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/11/30
Tunable Schottky barrier width and enormously enhanced photo- responsivity in Sb doped SnS 2 monolayer 期刊论文
Nano Research, 2019, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 463-468
作者:  Junchi Liu ;   Xiao Liu ;   Zhuojun Chen ;   Lili Miao ;   Xingqiang Liu ;   Bo Li ;   Liming Tang ;   Keqiu Chen ;   Yuan Liu ;   Jingbo Li ;   Zhongming Wei ;   Xidong Duan
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/07/30
PtSe 2 /graphene hetero-multilayer: gate- tunable Schottky barrier height and contact type 期刊论文
Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 期号: 46, 页码: 465707
作者:  Congxin Xia;  Juan Du;  Lizhen Fang;  Xueping Li;  Xu Zhao;  Xiaohui Song;  Tianxing Wang ;  Jingbo Li
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/11/12
Improving Performances of In-Plane Transition-Metal Dichalcogenide Schottky Barrier Field-Effect Transistors 期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 22, 页码: 19271-19277
作者:  Zhi-Qiang Fan;   Xiang-Wei Jiang;  Jiezhi Chen;   Jun-Wei Luo
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/11/12
In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1T/2H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides 期刊论文
Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 16, 页码: 165402
作者:  Zhi-Qiang Fan;  Xiang-Wei Jiang;  Jun-Wei Luo;  Li-Ying Jiao;  Ru Huang
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/06/15
Tunable Schottky Barrier at MoSe2/Metal Interfaces with a Buffer Layer 期刊论文
The Journal of Physical Chemistry C, 2017, 卷号: 121, 页码: 9305−9311
作者:  Le Huang;  Bo Li;  Mianzeng Zhong;  Zhongming Wei;  Jingbo Li
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/06/15
Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts 期刊论文
journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 5, 页码: 054304
Boyong Feng; Shaoyun Huang; Jiyin Wang; Dong Pan; Jianghua Zhao; H. Q. Xu
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16

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