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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
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Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ding L
;
Wang FZ
;
Ye ZZ
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-TYPE ZNO
OPTICAL-PROPERTIES
EXCITON FORMATION
PHOTOLUMINESCENCE
FILMS
SPECTROSCOPY
DYNAMICS
IMPURITY
ENERGY
Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption
期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077
Yuan ZL
;
Xu ZY
;
Zheng BZ
;
Luo CP
;
Xu JZ
;
Ge WK
;
Zhang PH
;
Yang XP
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MONOLAYER-FLAT ISLANDS
SEMICONDUCTOR INTERFACES
EXCITON TRANSFER
TEMPERATURE
LINEWIDTH
DYNAMICS
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