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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Realization of InGaN laser diodes above 500 nm by growth optimization of the InGaN/GaN active region 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 卷号: 7, 期号: 11 作者:  Liu, JP (刘建平);  Zhang, SM (张书明);  Zhang, LQ (张立群);  Li, DY (李德尧);  Yang, H (杨辉) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/02/03 GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate 期刊论文 Chinese Physics B, 2009, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 5350-5353 作者:  Zhang LQ;  Yang H (杨辉);  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/03/14 GaN laser diode  mounting configuration  active region temperature   Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 2 作者:  Zhang LQ;  Yang H(杨辉);  Zhang LQ;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/01/15 aluminium compounds  claddings  gallium compounds  III-V semiconductors  indium compounds  quantum well lasers  refractive index  waveguide lasers   Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283 作者:  Yang H(杨辉);  Zhang LQ;  Ji L;  Zhang LQ;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/01/15