QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456 作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29 PDSOI  SRAM  总剂量效应  功耗电流  退火效应   12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应 期刊论文 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674 作者:  吴雪;  陆妩;  王义元;  胥佳灵;  张乐情 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 BiCMOS  模数转换器  剂量率  60Coγ辐照   电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 124-128 作者:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  王义元 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29 电荷耦合器件  位移损伤  γ射线  电子辐照   运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 运算放大器  60Coγ辐照  退火  剂量率效应   JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29 JFET输入双极运算放大器  60Coγ辐照  剂量率效应  退火   MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978 作者:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/11/29 热载子注入  总剂量辐照  相关性   不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784 作者:  任迪远;  陆妩;  余学锋;  郭旗;  张国强 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/11/29 注FCMOS运算放大器  电离辐照  跨导