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Method of photo-reflectance characterization of strain and active dopant in semiconductor structures 专利
专利号: EP1952122A2, 申请日期: 2008-08-06, 公开日期: 2008-08-06
作者:  CHISM, WILLIAM, W
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Buried reverse bias junction configurations in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth and device structures utilizing the same 专利
专利号: US5563094, 申请日期: 1996-10-08, 公开日期: 1996-10-08
作者:  PAOLI, THOMAS L.;  EPLER, JOHN E.
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II-VI semiconductor diode laser having a strained layer 专利
专利号: US5561680, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01
作者:  HABERERN, KEVIN W.;  DRENTEN, RONALD R.
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Method of fabricating semiconductor structures via photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth 专利
专利号: US5436192, 申请日期: 1995-07-25, 公开日期: 1995-07-25
作者:  EPLER, JOHN E.;  PAOLI, THOMAS L.
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Quantum wire fabricated via photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth 专利
专利号: CA2041942A1, 申请日期: 1991-12-26, 公开日期: 1991-12-26
作者:  PAOLI THOMAS L;  EPLER JOHN E
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Buried disordering sources in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth 专利
专利号: US5013684, 申请日期: 1991-05-07, 公开日期: 1991-05-07
作者:  EPLER, JOHN E.;  PAOLI, THOMAS L.
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Method of in situ photo induced evaporation enhancement of compound thin films during or after epitaxial growth 专利
专利号: US4962057, 申请日期: 1990-10-09, 公开日期: 1990-10-09
作者:  EPLER, JOHN E.;  TREAT, DAVID W.;  PAOLI, THOMAS L.
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Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1986084891A, 申请日期: 1986-04-30, 公开日期: 1986-04-30
作者:  KURONAGA KOUICHI;  KURIHARA HARUKI
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Surface light emitting type semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1985042890A, 申请日期: 1985-03-07, 公开日期: 1985-03-07
作者:  TAKAMIYA SABUROU
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Compact optical structure with integrated source 专利
专利号: US4286838, 申请日期: 1981-09-01, 公开日期: 1981-09-01
作者:  HUIGNARD, JEAN-PIERRE;  LECLERC, PIERRE;  CARBALLES, JEAN-CLAUDE;  NAPPO, ARMAND
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