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半导体研究所 [78]
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期刊论文 [78]
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Ultrafast Electron Cooling and Decay in Monolayer WS2 Revealed by Time- and Energy-Resolved Photoemission Electron Microscopy
期刊论文
NANO LETTERS, 2020, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 3747-3753
作者:
Yaolong Li
;
Wei Liu
;
Yunkun Wang
;
Zhaohang Xue
;
Yu-Chen Leng
;
Aiqin Hu
;
Hong Yang
;
Ping-Heng Tan
;
Yunquan Liu
;
Hiroaki Misawa
;
Quan Sun
;
Yunan Gao
;
Xiaoyong Hu
;
Qihuang Gong
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提交时间:2021/06/17
Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors
期刊论文
journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 10, 页码: 105304
Y. F. Lao
;
A. G. U. Perera
;
H. L. Wang
;
J. H. Zhao
;
Y. J. Jin
;
D. H. Zhang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/10
Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
nanoscale research letters, 2014, 卷号: 9, 页码: 470
Sang, L
;
Zhu, QS
;
Yang, SY
;
Liu, GP
;
Li, HJ
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, SM
;
Wang, ZG
;
Zhou, XW
;
Mao, W
;
Hao, Y
;
Shen, B
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2015/03/25
Ab initio theoretical and photoemission studies on formation of 4H-SiC(0001) SiO2 interface
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 280, 页码: 500–503
Liu Zheng, Guosheng Sun, Feng Zhang, Shengbei Liu , Bin Liu , Lin Dong, Lei Wang, Wanshun Zhao, Xingfang Liu , Guoguo Yan , Lixin Tian ,Yiping Zeng
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2014/03/26
Conduction and valence band discontinuities in some new semiconductor heterojunctions
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2011, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 9368-9383
作者:
Zhu, Qinsheng
;
Wu, Ju
;
Li, Chengming
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Band discontinuity
Heterojunction
X-ray photoemission spectroscopy (xps)
Valence band offset of wurtzite inn/srtio3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 4
作者:
Li, Zhiwei
;
Zhang, Biao
;
Wang, Jun
;
Liu, Jianming
;
Liu, Xianglin
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
收藏
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Quantum-dot-induced optical transition enhancement in InAs quantum-dot-embedded p-i-n GaAs solar cells
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 113514
Shang XJ
;
He JF
;
Li MF
;
Zhan F
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Pettersson H
;
Fu Y
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
WELL INFRARED PHOTODETECTOR
PHOTOCURRENT
EFFICIENCY
Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50
作者:
Wei HY
;
Song HP
;
Zhang B
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浏览/下载:64/2
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CORE-LEVEL PHOTOEMISSION
SB-DOPED SNO2
INN
GROWTH
GAN
NAXWO3
ALLOYS
GREEN
STATE
Surface roughness scattering in two dimensional electron gas channel
期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: 3
作者:
Liu, B.
;
Lu, Y. W.
;
Jin, G. R.
;
Zhao, Y.
;
Wang, X. L.
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
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