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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2004 [4]
2002 [1]
1999 [3]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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发表日期升序
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提交时间升序
提交时间降序
A mini-staged multi-stacked quantum cascade laser for improved optical and thermal performance
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075023
作者:
Li L
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浏览/下载:81/4
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提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
Enhanced photoresponse from the ordered microstructure of naphthalocyanine-carbon nanotube composite film
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 13, 页码: 3274-3279
Feng W
;
Li Y
;
Feng YY
;
Wu J
收藏
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/04/11
NONCOVALENT SIDEWALL-FUNCTIONALIZATION
PHOTOVOLTAIC DEVICES
POLYMER COMPOSITES
THIN-FILMS
DYE
IMMOBILIZATION
PHTHALOCYANINE
POLYANILINE
CELLS
Luminescence properties of multi-layer InGaN quantum dots grown on C- and R-plane sapphire substrates
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 314-318
Chen, Z
;
Chua, SJ
;
Han, PD
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Tripathy, S
收藏
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浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2010/03/17
GaN
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508
Chen, Z
;
Chua, SJ
;
Yuan, HR
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Han, PD
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:269/35
  |  
提交时间:2010/03/09
metalorganic chemical vapor deposition
Silicon-on-insulating multi-layers for total-dose irradiation hardness
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1600-1603
Zhang EX
;
Yi WB
;
Liu XH
;
Chen M
;
Liu ZL
;
Xi W
收藏
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浏览/下载:379/54
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提交时间:2010/03/09
IMPLANTATION
Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing
期刊论文
semiconductor science and technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 571-573
Yi WB
;
Zhang EX
;
Chen M
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:179/57
  |  
提交时间:2010/03/09
LAYERS
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:83/1
  |  
提交时间:2010/10/29
metalorganic chemical vapor deposition
semiconducting III-V materials
DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES
CARRIER CONFINEMENT
EFFECT TRANSISTORS
PHOTOLUMINESCENCE
MOBILITY
HETEROJUNCTION
INTERFACE
HFETS
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
SHAPE TRANSITION
PHOTOLUMINESCENCE
FABRICATION
DEPOSITION
WIRES
SITU
Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Zhuang QD
;
Li HX
;
Pan L
;
Li JM
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
X-RAY-DIFFRACTION
ISLANDS
SURFACES
GROWTH
Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 1161-1163
Zhuang QD
;
Li HX
;
Pan L
;
Li JM
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/08/12
quantum dots
superlattice
vertical alignment
ISLANDS
SURFACES
GROWTH
X-RAY-DIFFRACTION
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