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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Homogeneous Epitaxial Growth of N,N '-di(n-butyl)quinacridone Thin Films on Ag(110) 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7162-7166 Lin F (Lin Feng); Fang ZY (Fang Zheyu); Qu SC (Qu Shengchun); Huang S (Huang Shan); Song WT (Song Wentao); Chi LF (Chi Lifeng); Zhu X (Zhu Xing) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/30 MOLECULAR-BEAM DEPOSITION  QUASIEPITAXIAL GROWTH  ORGANIC FILMS  LEED  PTCDA  STM  MONOLAYERS  GRAPHITE   Structural and optical properties of 3D growth multilayer InGaN/GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 4, 页码: 423-428 作者:  Li DB;  Han XX;  Han PD 收藏  |  浏览/下载：161/51  |  提交时间：2010/03/09 nanostructure   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/In0.53Ga0.47As multilayer  InP substrate  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INAS ISLANDS  GROWTH  MATRIX  GAAS   Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InAs/GaAs  MBE  photoluminescence  absorption  OPTICAL-PROPERTIES  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  INGAAS  LASER