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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: US7951639, 申请日期: 2011-05-31, 公开日期: 2011-05-31
作者:  CHUA, SOON JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: SG147120A1, 申请日期: 2011-04-29, 公开日期: 2008-11-28
作者:  CHUA, SOO JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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110 oriented group iv-vi semiconductor structure, and method for making and using the same 专利
专利号: EP1714359A2, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25
作者:  ZHISHENG, SHI
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LOW TEMPERATURE GROWN LAYERS WITH MIGRATION ENHANCED EPITAXY ADJACENT TO AN InGaAsN(Sb) BASED ACTIVE REGION 专利
专利号: WO2006026610A3, 申请日期: 2006-07-06, 公开日期: 2006-07-06
作者:  JOHNSON RALPH
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Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors 专利
专利号: US6911084, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28
作者:  KOUVETAKIS, JOHN;  TSONG, IGNATIUS S. T.;  ROUCKA, RADEK;  TOLLE, JOHN
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Method of forming nitride-based semiconductor layer, and method of manufacturing nitride-based semiconductor device 专利
专利号: US6821807, 申请日期: 2004-11-23, 公开日期: 2004-11-23
作者:  KANO, TAKASHI;  OHBO, HIROKI;  HAYASHI, NOBUHIKO
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Quantum well intermixing in InGaAsP structures induced by low temperature grown InP 专利
专利号: US6797533, 申请日期: 2004-09-28, 公开日期: 2004-09-28
作者:  THOMPSON, DAVID A.;  ROBINSON, BRADLEY J.;  LETAL, GREGORY J.;  LEE, ALEX S. W.;  GORDON, BROOKE
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Light emitting device structure using nitride bulk single crystal layer 专利
专利号: EP1453159A1, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2004-09-01
作者:  DWILINSKI, ROBERT;  DORADZINSKI, ROMAN;  GARCZYNSKI, JERZY;  SIERZPUTOWSKI, LESZEK;  KANBARA, YASUO, C/O NICHIA CORPORATION
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半導体レーザの製法 专利
专利号: JP2949809B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20
作者:  成井 啓修;  平田 照二
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2919606B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-12
作者:  廣山 良治;  浜田 弘喜
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