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半导体研究所 [95]
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期刊论文 [95]
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2010 [8]
2009 [2]
2008 [8]
2007 [11]
2006 [12]
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学科主题
半导体材料 [95]
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学科主题:半导体材料
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Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
VLS growth of SiOx nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84328
Huang SL
;
Wu Y
;
Zhu XF
;
Li LX
;
Wang ZG
;
Wang LZ
;
Lu GQ
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2011/07/05
SILICON NANOWIRES
SURFACE MIGRATION
NANOSTRUCTURES
CATALYST
Experimental and theoretical study for InAs quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented InP substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84345
Kong JX
;
Zhu QS
;
Xu B
;
Wang ZG
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浏览/下载:39/3
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提交时间:2011/07/05
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/05
UV ELECTROLUMINESCENCE
THIN-FILMS
ZNO
Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320
作者:
Yang T
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
INALAS
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:67/4
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提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.71914
作者:
Jin P
;
Ye XL
;
Zhou XL
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提交时间:2011/07/05
SPECTROSCOPY
Microwave Study of FeSe(0.3)Te(0.7) Thin Film by TE(011)-Mode Sapphire Dielectric Resonator
期刊论文
ieee transactions on applied superconductivity, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 599-601
Wu, Y
;
Zhou, SY
;
Wang, XY
;
Cao, LX
;
Zhang, XQ
;
Luo, S
;
He, YS
;
Barannik, AA
;
Cherpak, NT
;
Skresanov, VN
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提交时间:2012/02/06
Cavity resonator
microwave measurement
multi-gap
node
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