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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and properties of wafer-scale nanoporous GaN distributed Bragg reflectors with strong phase-separated InGaN/GaN layers 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 789, 页码: 658-663 作者:  Zhao, Chongchong;  Yang, Xiaokun;  Shen, Luyang;  Luan, Caina;  Liu, Jianqiang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11 Nanoporous GaN  Distributable Bragg reflector  Multiple quantum well  Electrochemical etching   Electroluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well-based LEDs with different indium contents and different well widths 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 卷号: 7 作者:  Li, Changfu;  Ji, Ziwu;  Li, Jianfei;  Xu, Mingsheng;  Xiao, Hongdi 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/12 Influence of low temperature p-GaN layer on the optical properties of a GaN-based blue light-emitting diodes 期刊论文 MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 6, 页码: 527-532 作者:  Li, Jianfei;  Li, Changfu;  Mu, Qi;  Ji, Ziwu;  Lv, Yuanjie 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/16 InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well  Low Temperature p-GaN Layer  Electroluminescence  Localization Effect  Hole Injection Efficiency   Internal quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 12 作者:  Wang Xue-Song;  Ji Zi-Wu;  Wang Hui-Ning;  Xu Ming-Sheng;  Xu Xian-Gang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/17 InGaN/GaN  PL efficiency  PL peak energy  internal quantum efficiency   Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2014, 卷号: 59, 页码: 56-59 作者:  Wang, Huining;  Ji, Ziwu;  Xiao, Hongdi;  Wang, Mengqi;  Qu, Shuang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 InGaN/GaN multiple-quantum-well  Light-emitting diode  Current-voltage  characteristics  Electroluminescence  Electron leakage   InGaN/GaN Multiple Quantum Well Blue LEDs on 3C-SiC/Si Substrate 期刊论文 SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010, 2011, 卷号: 679-680, 页码: 801-803 作者:  Han, Jisheng;  Dimitrjiev, Sima;  Wang, Li;  Iacopi, Alan;  Qu, Shuang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 Gallium Nitrides  Silicon Carbide  LEDs  Quantum Well