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| 全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器 专利
专利号: CN201921026323.2, 申请日期: 2020-04-03, 公开日期: 2020-04-03
作者: 汪韬; 高贵龙; 何凯; 闫欣; 田进寿
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| 一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法 专利
专利号: CN110265872A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者: 窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平; 韩春霞
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| 一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪 专利
专利号: CN110247303A, 申请日期: 2019-09-17, 公开日期: 2019-09-17
作者: 张星; 周寅利
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| GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利号: CN110224299A, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
作者: 赵勇明; 杨国文 ; 张艳春; 赵卫东
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| 基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利号: CN110212409A, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
作者: 赵勇明; 杨国文; 张艳春; 赵卫东
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| 用於掃頻源光學相干層析成像系統的波長可調諧垂直腔面發射激光器 专利
专利号: HK1224090A1, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: T.牧野; T.李; D.尤
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| 单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法 专利
专利号: CN110190515A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: 窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平
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| 制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN110190513A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: 赵勇明; 杨国文; 张艳春; 赵卫东
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| DBR的制备方法及GaAs基VCSEL 专利
专利号: CN110190512A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: 赵勇明; 杨国文; 张艳春; 赵卫东
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| 等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法 专利
专利号: CN110176398A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者: 张鹏; 许聪基; 赖铭智
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