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科研机构
新疆理化技术研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [2]
2005 [3]
学科主题
Engineerin... [5]
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p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818
作者:
高博
;
余学峰
;
任迪远
;
崔江维
;
兰博
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/11/29
p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
60Co gamma-ray
total-dose irradiation damage effects
enhanced low dose rate sensitivity
12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应
期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674
作者:
吴雪
;
陆妩
;
王义元
;
胥佳灵
;
张乐情
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/11/29
BiCMOS
模数转换器
剂量率
60Coγ辐照
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学峰
;
艾尔肯
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/11/29
运算放大器
60Coγ辐照
退火
剂量率效应
双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性
期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 925-928
作者:
陆妩
;
余学锋
;
任迪远
;
艾尔肯
;
郭旗
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2012/11/29
双极晶体管
60Coγ辐照
剂量率效应
退火
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性
期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学峰
;
艾尔肯
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/11/29
JFET输入双极运算放大器
60Coγ辐照
剂量率效应
退火
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