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半导体研究所 [47]
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期刊论文 [44]
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Electronic properties investigation of silicon supersaturated with tellurium
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 105, 期号: 4, 页码: 1021-1024
作者:
Li, Xinyi
;
Han, Peide
;
Gao, Lipeng
;
Mao, Xue
;
Hu, Shaoxu
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with inas quantum dots
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 686-689
作者:
Li, Y. Q.
;
Wang, X. D.
;
Xu, X. N.
;
Liu, W.
;
Yang, F. H.
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum dots
Modulation-doped
Field-effect transistors
Output characteristics
Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunneling diodes
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1
作者:
Zhang,Yang
;
Guan,Min
;
Liu,Xingfang
;
Zeng,Yiping
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Resonant tunneling diode
I-v characteristics
Molecular beam epitaxy
Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors
期刊论文
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4
作者:
Lin, D. F.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, C. M.
;
Qiang, L. J.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18503
作者:
Dong Z
;
Huang BJ
收藏
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
optoelectronic integrated circuit
complementary metal-oxide-semiconductor technology
silicon-based light emitting device
electroluminescence
AVALANCHE BREAKDOWN
PHOTON-EMISSION
CURRENT-DENSITY
DIODES
MODEL
ELECTROLUMINESCENCE
SUPERLATTICES
EFFICIENCY
JUNCTIONS
LEDS
Fabrication of silicon-based template-assisted nanoelectrode arrays and ohmic contact properties investigation
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7428-7431
作者:
Bai, Anqi
;
Cheng, Buwen
;
Wang, Xiaofeng
;
Xue, Chunlai
;
Zuo, Yuhua
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Nanoelectrode arrays
Paa
Electroless deposition
Sem
I-v
Quantum mechanical study on tunnelling and ballistic transport of nanometer si mosfets
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 4
作者:
Deng Hui-Xiong
;
Jiang Xiang-Wei
;
Tang Li-Ming
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Tang LM (Tang Li-Ming)
收藏
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浏览/下载:101/3
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提交时间:2010/05/24
SIMULATION
TRANSISTORS
LIMIT
NM
Fabrication of Silicon-Based Template-Assisted Nanoelectrode Arrays and Ohmic Contact Properties Investigation
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7428-7431
Bai AQ (Bai Anqi)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Wang XF (Wang Xiaofeng)
;
Xue CL (Xue Chunlai)
;
Zuo YH (Zuo Yuhua)
;
Wang QM (Wang Qiming)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/30
ANODIC ALUMINA FILMS
NANOWIRE ARRAYS
POROUS ALUMINA
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