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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：193/0  |  提交时间：2016/09/27 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固   基于视觉假体CMOS图像传感器读出电路的设计 学位论文 : 西安理工大学, 2016 作者:  杨学仁 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20 CMOS图像传感器  3T-APS  列采样  SARADC   超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263 作者:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/06/02 总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器