×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [181]
内容类型
期刊论文 [172]
会议论文 [9]
发表日期
2016 [1]
2011 [12]
2010 [21]
2009 [18]
2008 [25]
2007 [16]
更多...
学科主题
半导体物理 [49]
半导体材料 [27]
光电子学 [21]
半导体器件 [3]
半导体化学 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共181条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 96, 页码: 220-225
Wei Liu
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
;
Xiaoguang He
;
Xiaojing Li
;
Xiang Li
;
Feng Liang
;
Jianping Liu
;
Liqun Zhang
;
Hui Yang
;
Yuantao Zhang
;
Guotong Du
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2017/03/10
Spatial hole burning degradation of algaas/gaas laser diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Qiao, Y. B.
;
Feng, S. W.
;
Xiong, C.
;
Wang, X. W.
;
Ma, X. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Carrier density
Cathodoluminescence
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Optical hole burning
Optical microscopy
Quantum well lasers
Semiconductor epitaxial layers
X-ray diffraction
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of inas nanowires on si substrates
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7
作者:
Li, Tianfeng
;
Chen, Yonghai
;
Lei, Wen
;
Zhou, Xiaolong
;
Luo, Shuai
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in algaas/gaas modulation-doped heterostructures
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Liu, Guipeng
;
Wu, Ju
;
Lu, Yanwu
;
Li, Zhiwei
;
Song, Yafeng
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Effect of built-in electric field in photovoltaic inas quantum dot embedded gaas solar cell
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341
作者:
Shang, X. J.
;
He, J. F.
;
Wang, H. L.
;
Li, M. F.
;
Zhu, Y.
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Determination of the transport properties in 4h-sic wafers by raman scattering measurement
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Sun Guo-Sheng
;
Liu Xing-Fang
;
Wu Hai-Lei
;
Yan Guo-Guo
;
Dong Lin
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/05/12
4h-sic
Raman scattering
Lopc modes
Transport properties
Temperature and electron density dependence of spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum well
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.84
Han LF
;
Zhu YG
;
Zhang XH
;
Tan PH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
收藏
  |  
浏览/下载:46/2
  |  
提交时间:2011/07/05
ROOM-TEMPERATURE
Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341
作者:
He JF
;
Li MF
收藏
  |  
浏览/下载:40/1
  |  
提交时间:2011/07/05
INTERMEDIATE-BAND
TRANSITIONS
Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:
Liu XF
;
Yan GG
;
Zheng L
;
Dong L
收藏
  |  
浏览/下载:37/3
  |  
提交时间:2011/07/05
4H-SiC
Raman scattering
LOPC modes
transport properties
SILICON-CARBIDE
LIGHT
GAP
Inp-based evanescently coupled high-responsivity photodiodes with extremely low dark current density integrated diluted waveguide at 1550 nm
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Zuo Yu-Hua
;
Cao Quan
;
Zhang Yun
;
Zhang Ling-Zi
;
Guo Jian-Chuan
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2019/05/12
High responsivity
Diluted waveguide
Evanescent coupling
Waveguide photodiode
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace