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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：会议     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reduction of leakage current in GaN-based high-electron mobility transistor employing carbon-doped GaN superlattice buffer layers (EI收录) 会议 Beijing, China, 作者:  Xu, Mingsheng[1];  Weng, Yuanhang[1];  Wang, Hong[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/11 Buffer layers  Electron mobility  Electronic properties  Energy gap  Gallium alloys  Gallium nitride  Leakage currents  Optical waveguides  Transistors  Wide band gap semiconductors   Reduction of Leakage Current in GaN-based High-electron Mobility Transistor Employing Carbon-doped GaN Superlattice Buffer Layers (CPCI-S收录) 会议 作者:  Xu, Mingsheng[1];  Weng, Yuanhang[1];  Wang, Hong[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/11