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	Reduction of leakage current in GaN-based high-electron mobility transistor employing carbon-doped GaN superlattice buffer layers (EI收录)
	Xu, Mingsheng[1]; Weng, Yuanhang[1]; Wang, Hong[1]
关键词	Buffer layers Electron mobility Electronic properties Energy gap Gallium alloys Gallium nitride Leakage currents Optical waveguides Transistors Wide band gap semiconductors
会议地点	Beijing, China
URL标识	查看原文
内容类型	会议
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2037929
专题	华南理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu, Mingsheng[1],Weng, Yuanhang[1],Wang, Hong[1].Reduction of leakage current in GaN-based high-electron mobility transistor employing carbon-doped GaN superlattice buffer layers (EI收录).

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