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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文 Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of 2 mu m crack-free gan on si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4 作者:  Wei Meng;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Wang Cui-Mei;  Pan Xu 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES