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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰 ; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种基于石墨烯电极的有机半导体光电器件 专利
专利号: 2014102639984, 申请日期: 2016-10-05,
作者: 史浩飞; 罗伟; 邵丽; 冷重钱; 杜春雷
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| 非易失性三维半导体存储器件及制备方法 专利
专利号: CN201110390695.5, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2013-06-05
作者: 霍宗亮; 刘明
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| 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利
专利号: CN103545190A, 申请日期: 2014-01-29,
作者: 殷华湘; 杨红; 马雪丽; 王文武; 韩锴
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| 一种对上电极进行费米能级修饰的方法 专利
专利号: CN200910077528.8, 申请日期: 2011-05-04, 公开日期: 2010-07-21
作者: 柳江; 刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟
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| 基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法 专利
专利号: CN200710177795.3, 申请日期: 2010-09-08, 公开日期: 2009-05-27
作者: 欧毅; 傅剑宇; 陈大鹏; 景玉鹏; 叶甜春
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| 一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法 专利
申请日期: 2009-02-09, 公开日期: 2016-03-18
作者: 许高博; 徐秋霞
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| 表面功函数测量仪 专利
申请日期: 2005-01-01,
作者: 张志林[1]; 蒋雪茵[2]; 李晓峰[3]
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| 扫描隧道显微镜功函数信息成像装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-08-16, 公开日期: 2000-08-16
谢天生, 范兆忠, 赵玉清 and 叶恒强
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