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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：西北工业大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG200001009&dbname=CJFQ2000, 2012, 2012 王跃; 李全保; 韩庆林; 宋炳文; 介万奇; 周尧和 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/06/16 晶体生长  固态再结晶  碲镉汞  相变   碲镉汞薄膜的外延生长 会议论文 中国重庆 第三届中国功能材料及其应用学术会议 王跃; 宋炳文; 介万奇; 周尧和 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/06/19 液相外延  分子束外延  有机金属化学汽相沉积  碲镉汞  衬底材料  结构缺陷   MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG200004006&dbname=CJFQ2000, 2012, 2012 王跃; 宋炳文; 刘朝旺; 王静宇; 杨玉林; 介万奇; 周尧和 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/06/16 MOCVD  碲镉汞薄膜  衬底材料  生长工艺   Hg_（1－x）CdxTe生长中的溶质再分配及其对生长条件的限制 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL506.007&dbname=CJFQ1995, 2012, 2012 介万奇 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/06/16 碲镉汞，布里奇曼法，单晶生长，溶质再分配