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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12, 2010-10-15 占 荣; 惠 峰; 赵有文 收藏  |  浏览/下载：305/0  |  提交时间：2010/08/12 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1779-1782 作者:  赵冀 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 王晓峰; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2009/06/11 非原生掺杂半绝缘磷化铟（InP）及其应用对比 期刊论文 科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 23, 页码: 1761-1762 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/11/23 中子嬗变掺杂的砷化镓的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1987 欧阳小龙 收藏  |  浏览/下载：16/1  |  提交时间：2009/04/13 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 作者:  杨晓光 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/09/09